高速静電シャッターを用いた電子線制御による新しい低損傷観察，分析手法の開発

抄録

球面収差補正STEMでは，収差補正の効果により，分解能だけではなく電流密度が飛躍的に向上したため，原子分解能の構造観察や元素分析が可能になった．しかし，従来であれば気にならなかった電子線ダメージがより顕著に確認される機会が増えてきた．一方，電子線ダメージに弱いサンプルへの観察や分析の需要は増加しており，このような試料の観察や分析にはドーズ量を落とすことが必要である．しかし，これは分析時のS/N比の悪化につながるため，ドーズ量を落とさずにダメージを抑える手法が求められている．我々は，百ナノ秒オーダーでビームをon/off出来る高速静電シャッターを新たに開発した．このシャッターを用いた間欠照射法により，従来と比べて有意に試料への電子線ダメージを抑制した観察，分析に成功した．本稿ではこの実験方法とハードウェアを紹介する．