放射線照射による微粒子調製ダブルネットワークゲルへの影響と耐放射線性の向上

抄録

高強度ゲルである微粒子調製ダブルネットワーク(P-DN)ゲルに対し，放射線を照射した際の影響を調べ，耐放射線性の向上に取り組んだ．これまでにさまざまな有機系高分子材料の耐放射線性が調べられているが，近年開発されたP-DNゲルの耐放射線性を調べた研究例はない．本研究では，P-DNゲルに対し集積線量0.1 MGyのガンマ線を照射して圧縮試験および含水率測定を実施し，照射によるP-DNゲルの性質変化を確認した．結果，圧縮破断応力が1/6に低下し，含水率の低下も確認された．ガンマ線照射により反応性の高いラジカルが発生し，新たな架橋が形成された影響と推測される．対策としてラジカル捕捉剤(ヒドロキノン)を添加し，同様の実験を行ったところ圧縮破断応力の低下が抑制され，ラジカル捕捉剤の添加が耐放射線性向上に有効であることを確認した．