ポジ型ホトレジストの高解像化メカニズムの解析
1994 年 51 巻 5 号 p. 309-314
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1994 年 51 巻 5 号 p. 309-314
ポジ型ホトレジストの未露光部の溶解抑制に寄与するとされているナフトキノンジアジド (NQD) -ノボラックレジストのジアゾカップリング反応生成物は, 分単位の現像時間の間にはほとんど生成しない. NQD基の反応は, 主にレジスト製造時およびプリベーク時の熱によって分解したNQD基が, ジアゾカップリング化合物を生成したと推定した. 現像液に不溶のNQDスルホン酸エステルの高エステル化部分とノボラック樹脂の高分子量部分は, 現像液可溶性部分が溶解している間にレジスト表面に残り, 溶解抑制層を形成すると推定した.
