シリコン単結晶の塩化水素ガスによる気相鏡面研摩

抄録

炭化ケイ素抵抗加熱炉を用いて, 無水塩化水素- 水素混合ガスによる, シリコン単結晶の気相鏡面研摩を研究した。内径38mm,全長約1m の不透明石英反応管を使用し, 温度1110～1290℃ , 流量6～10l/min , 塩化水素濃度0～7% の範囲で実験を行なった。
1.6乗に比例して増加する。一方,研摩面の状態は,塩化水素濃度を大きく,温度を低くするほど凹凸がひどくなり,条件によっては三角形のエッチピットが発生する。鏡面の得られる条件は, ほぼ1200℃ 以上, 塩化水素濃度2～4% の範囲に存在する。
また,研摩面の模様と研摩条件との関係を検討し,あわせて熱力学的計算結果より,研摩機構に対する考察を行なった。