日本化學雜誌
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界面膜形成による水溶液反応の研究(第8~9報) (第8報)界面膜のシュリーレン法による解明
井上 嘉亀大杉 彰長坂 孟本岡 達金治 幸雄
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1959 年 80 巻 8 号 p. 807-812

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抄録

従来の研究から界而膜は構造をもった膜であって,一般の膜,または単分子膜とは相違してわり,界面の電気2重層の両側のイオンは原液よりかなり濃い状態にあつまり,時間と共にイオン移動によって変化を生ずる。この電気2電層のでき方の種類によっていろいろの種類の膜が生ずる。本報ではこの電気2電層両側のKオンのあつまり方の関係を明らかにするため,シュリーレン・ナイフエッジ法を採用し,一般の膜や,電極付近のシュリーレン線と,種々の反応系のシュリーレン線を比較した。その結果界面の電気2重層および電気2重層付近の濃度分布からつぎの型の区別を認めた。安定界面膜(電気2重層と拡散系の組合わせ),揺動界面膜(中間生成物の強制拡散),挑音系(特殊なシコリーレン線で濃度分極類似),拡散反応系(中間生成物の強制拡散と先端の電気2重層)。

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