Structure and Interface Electrical Characteristics of Zirconia Based Amorphous Gate Dielectrics

Takanori Kiguchi; Naoki Wakiya; Nobuyasu Mizutani; Kazuo Shinozaki

doi:10.14853/pcersj.2005F.0.108.0

第18回秋季シンポジウム　＆　第１回アジア-オセアニアセラミック連盟国際会議

セッションID: 1H08

DOI https://doi.org/10.14853/pcersj.2005F.0.108.0

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主催: 公益社団法人日本セラミックス協会

ジルコニア系非晶質ゲート絶縁膜の構造と界面電気特性

*木口賢紀, 脇谷尚樹, 水谷惟恭, 篠崎和夫

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キーワード: ジルコニア, シリケート, 透過型電子顕微鏡, ゲート絶縁膜, 微細構造, シリコン

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抄録

SiO₂膜に代わる高誘電率ゲート絶縁膜として非晶質ジルコニウムシリケート，非晶質ジルコニウムアルミネートが注目されているが，poly-Siゲートプロセスにおける熱処理過程でZrO₂相が分相し，組織・組成の空間的変動や見かけの誘電率の低下，リーク電流密度増加などの問題が起こっている．本研究では，これらのゲート絶縁膜の組成や熱処理条件が組織形成や電気特性変化に及ぼす影響を系統的に調べた．

責任著者(Corresponding author)

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