PZT膜の圧電作用による基板のたわみ

抄録

ゾルゲル法によってPZT膜を作成した。用いた基板はITO電極がスパッタしてあるガラス基板などであり、膜表面に種々の大きさと形状の金電極を蒸着し、ITO電極との間でサンドイッチタイプの電極構造とした。得られたPZT膜をポーリング処理した後、電極間にサイン波を印加し、圧電性による膜の変位をレーザー干渉計で測定した。基板上のPZT膜は蒸着した金電極の下にジルコニア製のボールが配置するように支持し、ここを支点として自由に撓む構造とした。金電極内の位置での変位を干渉計で測定し、支持ボールとの相対位置に対する変化とし、電極の大きさや形状が基板のたわみに及ぼす影響を実測した。