High-temperature stability of non-silicate amorphous gate dielectrics

Takanori Kiguchi; Naoki Wakiya; Nobuyasu Mizutani; Kazuo Shinozaki

doi:10.14853/pcersj.2006S.0.162.0

2006年年会講演予稿集

セッションID: 2A02

DOI https://doi.org/10.14853/pcersj.2006S.0.162.0

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主催: 公益社団法人日本セラミックス協会

非シリケート型非晶質ゲート絶縁膜の高温安定性

*木口賢紀, 脇谷尚樹, 水谷惟恭, 篠崎和夫

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キーワード: ジルコニア, 誘電体, シリコン, 非晶質, 電子顕微鏡, ゲート絶縁膜

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抄録

SiO₂膜に代わる高誘電率ゲート絶縁膜として非晶質ジルコニウムシリケート，非晶質ジルコニウムアルミネートが注目されているが，poly-Siゲートプロセスにおける熱処理過程でZrO₂相が分相し，組織・組成の空間的変動や見かけの誘電率の低下，リーク電流密度増加などの問題が起こっている．本研究では，高温で安定なLa-Ta-Zr-O系の非シリケート型非晶質ゲート絶縁膜の組成の最適化を行い，高温での非晶質ナノ構造安定性評価，電子構造評価を行った．

責任著者(Corresponding author)

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