MOCVDによる(111)一軸配向正方晶Pb(Zr,Ti)O₃膜の合成

抄録

強誘電体のメモリに用いるPZT膜の要求項目として、動作電圧を下げるための低電圧化がある。このためには薄膜化は不可欠であるが、これまで安定した特性が得られるとされる（111）配向の多結晶薄膜に関して、薄膜化を試みた緩急はほとんどなかった。今回は(111)配向した導電性SrRuO3をバッファー層に用いることで、33nmまでの薄膜化に成功したので報告する。