アルコキシド法によるHfO₂層の薄層化とPt/(Y,Yb)MnO₃/HfO₂/Si 構造の誘電特性

抄録

FET型強誘電体メモリに適用することを目的として、強誘電体としてYMnO₃系材料を、絶縁体としてHfO₂を用い、MFIS（金属／強誘電体／絶縁体／半導体）構造を作製した。YMnO₃系強誘電体およびHfO₂絶縁体を化学溶液法によりSi半導体基板上に製膜した。HfO₂層を薄層化するために、前駆体溶液濃度、熱処理条件などを検討し、微構造や電気的特性の評価を行った。また、HfO₂層上にYMnO₃系強誘電体膜を製膜し、HfO₂層の作製条件が強誘電体膜の結晶相や配向性、微構造、電気的特性に与える影響を調べ、HfO₂層の作製条件の最適化を行った。