PLD法によるアモルファス炭素薄膜の合成とその電気化学デバイスへの応用

抄録

パルスレーザー堆積法によりアモルファス炭素薄膜を合成し、その製膜条件と得られた薄膜の構造・物性について検討した。また、得られた薄膜の電気化学的特性について検討し、構造・物性と電気化学的特性の関連について明らかにした。得られたアモルファス炭素薄膜を電極としてFe(CN)₆^3-/4-の酸化還元特性について検討したところ、その可逆性は薄膜の構造により変化し、薄膜中のグラファイト成分の割合により変化した。また、硫酸水溶液中において電位窓を計測したところ、グラッシーカーボンに比べて広い電位窓を有し、電気二重層による静電容量が小さいことが明らかになった。このような特性を有するアモルファス炭素電極のセンサ等の電気化学デバイスへの応用についても検討した。