MOCVD法により合成したRuO₂膜の電気伝導度

抄録

RuO2は高い電気伝導性を示す酸化物であり、RuO2膜は触媒電極や電気二重層キャパシタへの応用が期待されている。他方、RuO2は蒸気圧が高いため、スパッタ法などの高真空プロセスでは成膜が困難であり、数100Pa_から_数kPa程度の比較的高い圧力で成膜できるCVDが適している。そこで本研究ではMOCVD法でRuO2の合成を試み、Ru、RuO2の成膜条件を明らかにするとともに、膜の合成条件と、電気的特性、微細構造との関係を調べた。