抄録
透明な強誘電体であるPLZTは電界を印加すると、光散乱効果によって、印加電界強度に応じて光の透過率が変化する。また強誘電体に高温下で高電圧を長時間印加すると、電界インプリントにより強誘電体の圧電歪、誘電率、屈折率といった諸特性の印加電界に対する変化が電界方向にシフトし、印加電界0のときに分極方向に応じた二つの値を保持する、メモリ効果をもつようになる。本研究ではPLZTに120 oCのシリコンオイル内で2.5 kV/mm の電圧を22 時間印加することによって電界インプリント制御を行い、このときPLZTの光透過率が外部電界0のときに二つの値を持つことを確認した。さらにパルス電圧による分極方向制御によってメモリ値の制御を行えることを確認した。
