SrFeO_3-x (x < 1) 薄膜における酸素欠損数と電界誘起抵抗スイッチング特性の相関

抄録

我々は、ペロブスカイト型酸化物における電界誘起抵抗変化特性(EIR)に関して研究を行っている。これまで電界印加初期過程において界面近傍の酸素移動が移動し、高速スイッチング状態になることを報告してきた。今回、多様な酸素数をとり、それに伴い酸素授受能を変化させるSrFeO_3-x系に着目した。スパッタリング法により薄膜を作製し、成膜時の酸素分圧を変化させ酸素欠損数を変化させた試料を作成しその抵抗スイッチング特性を探査した。電極として下部にPt上部にFeを用いた。SrFeO_2+xにおいて酸素の移動を示唆する微分負性抵抗を確認し、抵抗スイッチング状態になっていることを確認した。