Ge/Si(105)表面の原子間力顕微鏡観察

抄録

Ｓｉ（１０５）上にＧｅ薄膜を成長させた表面であるＧｅ（１０５）２ｘ１表面の非接触ＡＦＭ観察を行ったので報告する。ダングリングボンドを持つ原子すべてが観察されていることを確認でき、かつケルビンプローブ法による局所ポテンシャル測定によりダングリングボンド準位間の電荷移動を観測している。