走査トンネル分光法によるSi(111)-√3x√3 Ag構造の局所電子状態に関する研究

抄録

Ｓｉ（１１１）_-_√３Ａｇ構造は、半導体表面上に形成される金属相として注目され、特にフェルミ準位近傍でのバルク電子状態とのカップリングが少ないことから、ステップや吸着物による強い閉じ込め効果が期待される系である。本研究では、低温での走査トンネル分光測定により、閉じ込めによる急峻な局在準位や、ドーパントに起因すると思われる特異な電子状態を観測したので報告する。