ナノギャップフラット電極を用いたポリジアセチレンの電気伝導特性評価

抄録

我々はこれまでに絶縁基板/電極境界に段差の無い電極幅、電極間距離ともに数百nmのナノギャップフラット電極の作製に成功している。この電極を用いると、ストレスフリーな状態で分子あるいは分子集合体は電極上に配置され電極間を架橋する。今回作製したフラット電極上に真空蒸着法によりポリジアセチレン薄膜を作製し、電極間に架橋したポリジアセチレンの電気伝導特性評価を行ったので報告する。