金属／high-k酸化膜界面における原子結合とショットキーバリアの関係

抄録

最近、次世代Si系MOSFETのゲート金属＋絶縁膜として、純金属とhigh-k材料の組み合わせが注目されている。特に金属種を変えると、ショットキー障壁は金属／半導体界面と逆方向に変化し、その原因は界面での原子結合の選択性にあると考えられている。本研究では、第一原理計算を用いて様々な金属／high-k酸化膜(HfO2, La2O3)界面を調べ、界面での原子結合(原子配置)とショットキーバリアの相関を明らかにする。