SiC(0001)上のエピタキシャルSiON超薄膜

抄録

SiCは次世代半導体材料として近年特に注目されている。重要な開発課題の１つが良質な絶縁膜及び界面の作製である。本研究ではSiC(0001)上に秩序SiON超薄膜がエピタキシャル成長することを見出し、その結晶構造と電子状態を調べた。その結果、膜中と界面にダングリングボンドはなく、界面準位も存在しないことが明らかになった。SiCの界面問題の解消に非常に重要な物質となることが期待される。