オキシナイトライドLaTiO2N薄膜の電気化学特性

抄録

オキシナイトライドLaTiO₂N粉末は、可視光応答型光触媒として機能する。本研究ではRFスパッタリング法を用いてLaTiO₂N薄膜の調製を試みた。得られた薄膜はLaTiO₂Nに帰属され、バンドギャップが約2eVであった。さらにLaTiO₂N薄膜の光電気化学的特性を評価した。可視光照射下で光アノード電流が観測され、LaTiO₂Nがn型半導体電極であることが分かった。