HCN水溶液を用いるbare Si表面上の吸着Cu除去とそのメカニズム

抄録

半導体デバイス特性に深刻な影響を及ぼす表面吸着金属を、室温のHCN水溶液に浸漬することで～3×10⁹ 原子/cm²以下まで除去できることを見いだした。0.027%程度の超低濃度のHCN水溶液でも、bare Si表面の吸着Cuを、Si表面をエッチングすること無く除去できる。表面モフォロジーならびに表面濃度の浸漬時間依存より、Si表面上の吸着Cu除去機構を解明した。