Si(111)7x7基板上のAgナノ薄膜表面における電子定在波のAg膜厚依存性

抄録

近年、Ag/Si(111)7x7のような半導体基板上の金属薄膜は、”Electronic Growth”という手法により”Critical thickness” 以上の膜厚において、原子レベルで平坦な金属ナノ薄膜が形成できる。ただし、この薄膜表面上には格子緩和のための転位が多数存在する。本講演ではElectronic GrowthしたAg薄膜表面上の電子が転位により散乱される様子や、その膜厚依存性について、低温STMを用いた dI/dV像観察により調べた結果について報告する。