SiC(0001)上の結晶性絶縁超薄膜の界面構造と電子状態

抄録

SiC(0001)上に成長した結晶性を持つSiON絶縁層の界面構造と電子状態を調べた結果を紹介する。Ｘ線回折による構造解析の結果、膜中及び界面にダングリングボンドがなく原子レベルで急峻な界面構造であることが分かった。軟Ｘ線吸収・発光分光によって、理想SiO₂/SiC界面に匹敵するバンドオフセット構造を有することが分かった。これらの理想的な界面の性質は、SiCデバイスへの適応を期待させる。