アナターゼTiO2薄膜の電子状態

抄録

アナターゼ型TiO₂薄膜は光触媒効果が発現する典型的な半導体材料と考えられてきた。しかし、Nbドープにより金属状態になり、低抵抗率(～2 x 10^-4 Ωcm at 300 K)と高い可視光透過性(>80%)を併せもつことを見いだした。そこで本研究では、アナターゼ型NbドープTiO₂の第一原理計算と光電子分光測定を行い，理論・実験の両面からキャリア電子の起源とバンド構造を考察した。