Rbを吸着したSi表面におけるSHG共鳴増大の面方位依存性

抄録

Rbを吸着させたSi表面で発生する第二高調波は、(111)面において吸着量に依存して特徴的な振舞いをすることを明らかにした。(100)及び(110)面においても第二高調波は同様の振舞いを示すものの、面方位により微妙に異なる結果が得られた。発生した第二高調波の面方位ごとの特徴を捉えて比較することにより、その発生起源について議論する。