表面フッ素化SiCの状態分析とめっき基板としての応用

抄録

これまでにSiウェハに対してフッ素ガスとの反応を利用して、その上へのめっき皮膜密着性向上が可能であることを見出してきた。本研究ではSiCウェハについてフッ素ガスとの接触による表面エネルギーや形状、組成の変化をモニターしめっきプロセスへの適合性との関係について調査した。