有機金属分子線エピタキシー法を用いてGaP(001)基板上にGaAsN混晶を成長した.．520℃でGaP基板表面にTDMASbまたはTEGaを照射し，GaAsN/GaPヘテロ成長への表面処理の効果を調べた．Sb終端させた表面にGaを照射すると，サーファクタント効果によりGa液滴を低密度(8×108cm-2)で形成でき，その表面にTDMAAs，DtBSeを照射すると平坦で広いテラス膜となった．GaAsN/GaPは約3.7%と大きな格子不整合差があるが， 界面でSbとGa処理をすることで結晶性の大幅な改善ができた．
