MOMBE法によるGaAsSbサブミクロンドットの自己形成過程の評価

抄録

TDMAAsとTDMAASbを用いたMOMBE法によりGaAs(001)基板上にサブミクロンサイズのGaAsSbドットを作製した。V族原料と表面との反応制御により10⁷cm^-2程度の低密度で高さ約110nm、直径240~550nmのドットが自己形成できた。V族原料比によりAs組成を5~94%まで制御できた。ドット直径はAs組成53%までは比例して増大するが、それ以上では減少した。ドット側面が{112}から{111}に変化しており、基板との格子不整合差とファセット形成がドットの自己形成過程に寄与することがわかった。