単結晶CVDダイヤモンド積層構造の半導体特性における高濃度ホウ素ドープ薄膜層の分散状態依存性

抄録

我々は、深い準位を有するホウ素ドープダイヤモンドにおける室温キャリア濃度と移動度との明瞭なトレードオフの関係の改善を目指し研究を行っている。本研究では、マイクロ波プラズマCVD時の総流量の増大や水素プラズマエッチングの適正化を行うことで、急峻な濃度勾配を有する高濃度ホウ素ドープ薄膜層を形成し、アンドープ層との積層構造を作製した。その後、当該構造をアンドープ層内に分散させ、その半導体特性を評価した。