ゲート電圧印加時におけるへき開MIS-Si(111)表面の断面STM/STS測定

石原 佑理; 加藤 直也; 立花 和也; 広田 望; 服部 賢; 大門 寛; Wei Tingting; 藤原 宏平; 服部 梓; 田中 秀和

doi:10.14886/sssj2008.35.0_255

2015年真空・表面科学合同講演会

セッションID: 2P21S

DOI https://doi.org/10.14886/sssj2008.35.0_255

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主催: 公益社団法人日本表面科学会, 一般社団法人日本真空学会

12月2日（水）

ゲート電圧印加時におけるへき開MIS-Si(111)表面の断面STM/STS測定

*石原佑理, 加藤直也, 立花和也, 広田望, 服部賢, 大門寛, Wei Tingting, 藤原宏平, 服部梓, 田中秀和

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キーワード: プローブ顕微鏡, 半導体, 界面, 電子状態

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抄録

界面観察手法として界面の形状や原子構造を観察するXTEMや電子状態を観察するHAXPESなどの手法があるが，本研究では両方を観察できるXSTMに着目している．動作中のMISデバイスにおけるバンド湾曲評価はデバイスの性能向上の為に非常に重要であるが，原子分解能での電子状態評価は難しい．そこで本研究ではXSTMによってMIS構造にゲート電圧を印加した際のバンド湾曲を評価する方法を確立しようとしている．

責任著者(Corresponding author)

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