２次元－３次元ヘテロ積層構造の形成と素子応用

抄録

2D物質の大面積基板作製には、何らかの3D物質基板上へのヘテロエピが必須である。我々はMEE法で作製した原子スケールで平坦なGaAsの表面(3D)をSe終端し、大面積MoSe2(2D)を作製した。また界面に形成された擬vdWギャップを超高分解能STEMで初めて観測した。講演では、サファイア(3D)上にエピ成長したh-BN(2D)を剥離層に用い、GaN(3D)デバイスを剥離・転写した研究も紹介する。