主催: 公益社団法人 応用物理学会 多元系化合物・太陽電池研究会
会議名: 平成28年度 応用物理学会「多元系化合物・太陽電池研究会」年末講演会
開催地: 12月9日(金):国立研究開発法人産業技術総合研究所 福島再生可能エネルギー研究所/12月10日(土):ふくしま磐梯熱海温泉 ホテル華の湯
開催日: 2016/12/09 - 2016/12/10
p. 56-59
Bulk crystals of Cu2Sn1-xGexS3, a candidate material for absorption layer of thin-film solar cells, were grown using chemical vapor transport with iodine. Resulting crystals had a composition ratio consistent with the charged ratio. XRD and Raman scattering results suggested that the crystals are mixed crystal between Cu2SnS3 and Cu2GeS3.