主催: 公益社団法人 応用物理学会 多元系化合物・太陽電池研究会
会議名: 平成28年度 応用物理学会「多元系化合物・太陽電池研究会」年末講演会
開催地: 12月9日（金）：国立研究開発法人産業技術総合研究所 福島再生可能エネルギー研究所/12月10日（土）：ふくしま磐梯熱海温泉 ホテル華の湯
開催日: 2016/12/09 - 2016/12/10
p. 67-70
CuBr1-xIx thin films were prepared as a variable band gap transparent p-type semiconductor, by solution coating method which is a non-vacuum process. We confirmed the change in XRD patterns, exciton absorption energy, band gap energy, and ionization potential of CuBr1-xIx thin films with the change of mixing ratio x. From the results, band lineup of CuBr1-xIx was proposed.
