Formation and Characterization of Strained Si-Ge Alloy Epitaxially Grown on Si(100) by Low-Energy ECR Ar plasma CVD without Substrate Heating

電気関係学会東北支部連合大会講演論文集

2014 TSJC

セッションID: 1A02

DOI https://doi.org/10.11528/tsjc.2014.0_2

会議情報

座長：横山　道央（山形大学）

Formation and Characterization of Strained Si-Ge Alloy Epitaxially Grown on Si(100) by Low-Energy ECR Ar plasma CVD without Substrate Heating

*上野尚文, 櫻庭政夫, 佐藤茂雄

著者情報

会議録・要旨集フリー

詳細

記事の1ページ目

著者関連情報

© 2014 Organizing Committee of Tohoku-Section Joint Convention of Institutes of Electrical and Information Engineers, Japan

お気に入り & アラート

関連記事

閲覧履歴

Top