1Pb3-2 低濃度Crドープによるc軸配向AlN薄膜の電気機械結合係数増幅

超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム講演論文集

Online ISSN : 2433-1910
Print ISSN : 1348-8236

1Pb3-2 低濃度Crドープによるc軸配向AlN薄膜の電気機械結合係数増幅

髙野佑成, 鈴木雅視, 垣尾省司

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2020 年 41 巻論文ID: 1Pb3-2

DOI https://doi.org/10.24492/use.41.0_1Pb3-2

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© 2020 特定非営利活動法人超音波エレクトロニクス協会

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