日本物理学会講演概要集. 年会

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2p-X-11 CdCr_2Se_4結晶における光誘起磁気変調効果III

高木芳弘, 横谷裕嗣, 足立智, 嶽山正二郎, Aguekian V.F.

原稿種別: 本文
セッションID: 2p-X-11
発行日: 1996/03/15
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyog.51.2.0_174_2

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2p-X-12 EuSeに於ける高密度伝導電子状態と磁性 (I)

梅原雅捷

原稿種別: 本文
セッションID: 2p-X-12
発行日: 1996/03/15
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyog.51.2.0_175_1

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2p-X-13 GaAs/AlAs短周期超格子における磁気光学スペクトルと磁場誘起Γ-XクロスオーバーII

国松洋, 内田和人, 三浦登

原稿種別: 本文
セッションID: 2p-X-13
発行日: 1996/03/15
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyog.51.2.0_175_2

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2p-YA-1 半導体表面の構造のダイナミクス:序論

白石賢二

原稿種別: 本文
セッションID: 2p-YA-1
発行日: 1996/03/15
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyog.51.2.0_176

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2p-YA-2 半導体表面反応の理論

押山淳

原稿種別: 本文
セッションID: 2p-YA-2
発行日: 1996/03/15
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyog.51.2.0_177

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2p-YA-3 半導体表面エッチング理論

大野隆央

原稿種別: 本文
セッションID: 2p-YA-3
発行日: 1996/03/15
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyog.51.2.0_178

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2p-YA-4 表面マニュプレーション

塚田捷

原稿種別: 本文
セッションID: 2p-YA-4
発行日: 1996/03/15
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyog.51.2.0_179

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2p-YA-5 半導体のオーダリングと成長

鈴木徹, 五明明子

原稿種別: 本文
セッションID: 2p-YA-5
発行日: 1996/03/15
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyog.51.2.0_180

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2p-YA-6 半導体成長の素過程と表面

西永頌

原稿種別: 本文
セッションID: 2p-YA-6
発行日: 1996/03/15
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyog.51.2.0_181

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2p-YA-7 成長中の表面電子状態変化

長谷川修司

原稿種別: 本文
セッションID: 2p-YA-7
発行日: 1996/03/15
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyog.51.2.0_182

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2p-YA-8 半導体の成長と表面再構成

一宮彪彦

原稿種別: 本文
セッションID: 2p-YA-8
発行日: 1996/03/15
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyog.51.2.0_183

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3a-E-1 2次元量子相転移と臨界指数

香川和宏, 稲垣克彦, 丹田聡, 山谷和彦

原稿種別: 本文
セッションID: 3a-E-1
発行日: 1996/03/15
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyog.51.2.0_184_1

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3a-E-2 SiーMOSFETの巨大磁気抵抗の角度依存性

岡本徹, 大河原吉貴, 関澤俊弦, 川路紳治

原稿種別: 本文
セッションID: 3a-E-2
発行日: 1996/03/15
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyog.51.2.0_184_2

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3a-E-4 量子ホール効果におけるブレークダウン現象の角度依存性

大野実, 高増正, 三浦登

原稿種別: 本文
セッションID: 3a-E-4
発行日: 1996/03/15
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyog.51.2.0_185_1

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3a-E-5 高易動度試料における分数量子ホール効果のブレークダウン現象

高増正, 大野実, 三浦登, 青木晴善, 寺嶋太一, 木戸義勇

原稿種別: 本文
セッションID: 3a-E-5
発行日: 1996/03/15
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyog.51.2.0_185_2

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3a-E-6 GaAs/AlGaAs 2次元系の量子ホール効果のブレークダウン

川路紳治, 深野敦之, 横井理秀, 金子桂, 島田貴子, 岡本徹, 後藤貴之, 深瀬哲郎, 大野祐三, 倉田由佳, 酒井 ...

原稿種別: 本文
セッションID: 3a-E-6
発行日: 1996/03/15
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyog.51.2.0_186_1

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3a-Eー8 低移動度GaAs/AlGaAsヘテロ接合二次元電子系の分数量子ホール効果と複合フェルミオン

深野敦之, 内田清隆, 鈴木純児, 岡本徹, 川路紳治, 平川一彦, 後藤貴行, 深瀬哲郎

原稿種別: 本文
セッションID: 3a-E8
発行日: 1996/03/15
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyog.51.2.0_186_2

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3a-E-9 量子ホール効果Breakdown現象における顕著な非局所性II

川口康, 小宮山進, 白木靖寛, 長田俊人

原稿種別: 本文
セッションID: 3a-E-9
発行日: 1996/03/15
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyog.51.2.0_187_1

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3a-E-10 量子ホール効果状態における遠赤外光伝導II

小宮山進, 久永幸博, 白木靖寛, 長田俊人

原稿種別: 本文
セッションID: 3a-E-10
発行日: 1996/03/15
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyog.51.2.0_187_2

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3a-E-11 量子ホール効果デバイスにおける電流注入II

小林直樹, 平井宏, 徳重貴久, 矢野直佳, 小宮山進, 白木靖寛, 長田俊人

原稿種別: 本文
セッションID: 3a-E-11
発行日: 1996/03/15
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyog.51.2.0_188_1

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3a-E-12 量子ホール効果デバイスからのサイクロトロン発光の測定

久永幸博, 小宮山進, 白木靖寛, 長田俊人

原稿種別: 本文
セッションID: 3a-E-12
発行日: 1996/03/15
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyog.51.2.0_188_2

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3a-E-14 2重層量子ホール系における平行磁場に対するレスポンス

森弘之

原稿種別: 本文
セッションID: 3a-E-14
発行日: 1996/03/15
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyog.51.2.0_189_1

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3a-F-1 グラファイト層間化合物のc-軸伝導

杉原硬, 鈴木正継, 松原恵子

原稿種別: 本文
セッションID: 3a-F-1
発行日: 1996/03/15
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyog.51.2.0_189_2

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3a-F-2 GICsのc-軸熱電能IV

小林宏司, 杉原硬, 大島久

原稿種別: 本文
セッションID: 3a-F-2
発行日: 1996/03/15
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyog.51.2.0_190_1

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3a-F-4 グラファイトの強磁場誘起電子相転移と非線型伝導

矢口宏, 高増正, 家泰弘, 三浦登, 岩田忠夫

原稿種別: 本文
セッションID: 3a-F-4
発行日: 1996/03/15
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyog.51.2.0_190_2

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3a-F-5 第一ステージカリウム-酸素-黒鉛層間化合物のdHvA効果

青木晴善, 高下雅弘, 寺嶋太一, Ummat P.K, Datars W.R

原稿種別: 本文
セッションID: 3a-F-5
発行日: 1996/03/15
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyog.51.2.0_191_1

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3a-F-6 圧力下における第三ステージHgCl_2黒鉛層間化合物のdHvA効果

高下雅弘, 青木晴善, 松本武彦, 寺嶋太一, Ummat P.K, Datars W.R

原稿種別: 本文
セッションID: 3a-F-6
発行日: 1996/03/15
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyog.51.2.0_191_2

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3a-F-7 5員環-7員環BCシートの電子状態

影島博之, 白石賢二, 武田京三郎

原稿種別: 本文
セッションID: 3a-F-7
発行日: 1996/03/15
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyog.51.2.0_192_1

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3a-F-8 カーボン・ナノチューブの電子状態密度

寄川弘玄, 村松伸二

原稿種別: 本文
セッションID: 3a-F-8
発行日: 1996/03/15
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyog.51.2.0_192_2

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3a-F-9 トンネル分光による層状構造半導体Bi_2Te_3およびSb_2Te_3のバンド端構造

舟貝健一, 宮原陽一, Kulbachinskii V, 尾崎肇

原稿種別: 本文
セッションID: 3a-F-9
発行日: 1996/03/15
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyog.51.2.0_193_1

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3a-F-10 層状半導体 Bi_<2-x>Sn_xTe_3の熱電能 II

山田洋, 義満雄一郎, 根岸寛, 佐々木実, 井上正, Kulbachinskii V

原稿種別: 本文
セッションID: 3a-F-10
発行日: 1996/03/15
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyog.51.2.0_193_2

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3a-F-11 EuS-TaS_2系複合化合物の構造と物性

鈴木和也, 那須由直, 榎敏明

原稿種別: 本文
セッションID: 3a-F-11
発行日: 1996/03/15
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyog.51.2.0_194_1

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3a-F-12 層間化合物M_xTiS_2の磁気抵抗

根岸寛, 由利衡平, 佐々木実, 井上正

原稿種別: 本文
セッションID: 3a-F-12
発行日: 1996/03/15
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyog.51.2.0_194_2

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3a-F-13 一次元半導体TiS_3の輸送現象

根岸彩子, 由利衡平, 根岸寛, 佐々木実, 井上正

原稿種別: 本文
セッションID: 3a-F-13
発行日: 1996/03/15
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyog.51.2.0_195_1

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3a-X-1 p型変調ドープ量子細線の磁気光学効果II

野村晋太郎, 一色秀夫, 青柳克信, 菅野卓雄, 内田和人, 三浦登

原稿種別: 本文
セッションID: 3a-X-1
発行日: 1996/03/15
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyog.51.2.0_195_2

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3a-X-2 強磁場におけるパラボラ量子井戸の時間分解フォトルミネッセンス

岡村英一, Heiman D, Sundaram M, Gossard A.C

原稿種別: 本文
セッションID: 3a-X-2
発行日: 1996/03/15
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyog.51.2.0_196_1

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3a-X-3 GaAs/Al_xGa_<1-x>As量子井戸・超格子系励起子の磁場効果II

川畑栄二, 赤井一郎, 唐沢力, 小松晃雄, Aguekian V.F., 中山正昭, 内田和人, 三浦登

原稿種別: 本文
セッションID: 3a-X-3
発行日: 1996/03/15
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyog.51.2.0_196_2

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3a-X-4 GaAs量子井戸におけるスピン緩和機構

足立智, 宮下猛, 嶽山正二郎, 高木芳弘

原稿種別: 本文
セッションID: 3a-X-4
発行日: 1996/03/15
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyog.51.2.0_197_1

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3a-X-5 GaAs/AlAs超格子のピコ秒共鳴発光

福島一樹, 黒田隆, 腰原伸也, 南不二雄

原稿種別: 本文
セッションID: 3a-X-5
発行日: 1996/03/15
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyog.51.2.0_197_2

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3a-X-7 GaAs/AlAs量子井戸構造におけるタイプ-I、タイプ-II励起子束縛エネルギーの計算

朴志聖, 中山正昭, 西村仁

原稿種別: 本文
セッションID: 3a-X-7
発行日: 1996/03/15
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyog.51.2.0_198_1

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3a-X-8 GaAs/AlAsタイプ-II超格子における励起子分子形成(II)

宗村敦司, 中山正昭, 西村仁

原稿種別: 本文
セッションID: 3a-X-8
発行日: 1996/03/15
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyog.51.2.0_198_2

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3a-X-9 タイプ-II超格子における励起子分子

土家琢磨, 片山信一, 安藤恒也

原稿種別: 本文
セッションID: 3a-X-9
発行日: 1996/03/15
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyog.51.2.0_199_1

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3a-X-10 (n11)面方位InGaAs/GaAs歪量子井戸の光学遷移に対する圧電効果

中西太宇人, 中山正昭, 西村仁, 高橋光男, 渡辺敏秀

原稿種別: 本文
セッションID: 3a-X-10
発行日: 1996/03/15
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyog.51.2.0_199_2

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3a-X-11 GaP/AlP短周期超格子多重量子井戸構造の電子状態と光学特性

小林由則, 上村洸

原稿種別: 本文
セッションID: 3a-X-11
発行日: 1996/03/15
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyog.51.2.0_200_1

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3a-X-12 SeδドープGaAsの電子構造

奈良純, 佐々木泰造, 大野隆央

原稿種別: 本文
セッションID: 3a-X-12
発行日: 1996/03/15
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyog.51.2.0_200_2

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3a-X-13 秩序構造GaInPのフォトルミネッセンス

皆木基彰, 高島和也, 小林利彦

原稿種別: 本文
セッションID: 3a-X-13
発行日: 1996/03/15
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyog.51.2.0_201_1

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3a-X-14 歪みInAsP中2次元ホールガスの有効質量

清水克則, 山田省二, 堀秀信, 杉浦英雄

原稿種別: 本文
セッションID: 3a-X-14
発行日: 1996/03/15
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyog.51.2.0_201_2

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3p-E-1 量子細線内に於ける複合フェルミオンのサブバンド内素励起

熊田聖也, 菅誠一郎, 興地斐男

原稿種別: 本文
セッションID: 3p-E-1
発行日: 1996/03/15
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyog.51.2.0_202_1

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3p-E-2 ゲージ相互作用する非相対論的フェルミオン系の有限温度における性質

小野田勝, 一瀬郁夫, 松居哲生

原稿種別: 本文
セッションID: 3p-E-2
発行日: 1996/03/15
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyog.51.2.0_202_2

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3p-E-3 量子ホール効果における粒子-磁束分離現象のゲージ理論

一瀬郁夫, 松居哲生

原稿種別: 本文
セッションID: 3p-E-3
発行日: 1996/03/15
公開日: 2018/03/26

DOIhttps://doi.org/10.11316/jpsgaiyog.51.2.0_203_1

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