「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム（日本太陽光発電学会学術講演会）予稿集

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第19回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム（第2回日本太陽光発電学会学術講演会）（2022年）

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Cu₂GeS₃/Cu₂SnS₃積層プリカーサの硫化によるCu₂Sn_1-xGe_xS₃薄膜の作製

田崎傑士, 茂田井大輝, 神保和夫, 荒木秀明

セッションID: PD-10
発行日: 2022/06/24
公開日: 2022/09/07

DOIhttps://doi.org/10.57295/jpvsproc.2.0_104

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遷移金属ダイカルコゲナイド層の導電性制御と太陽電池への応用

西村昂人, 中路健斗, Chantana Jakapan, 根上卓之, 峯元高志

セッションID: PD-11
発行日: 2022/06/24
公開日: 2022/09/07

DOIhttps://doi.org/10.57295/jpvsproc.2.0_105

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分子線エピタキシー成長によるn-ZnS/ZnTe光電極を用いた水の還元反応の評価

堤龍介, 齊藤勝彦, 郭其新, 池田茂, 田中徹

セッションID: PD-12
発行日: 2022/06/24
公開日: 2022/09/07

DOIhttps://doi.org/10.57295/jpvsproc.2.0_106

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製膜条件によるNiO薄膜の特性変化

伊藤颯哉, 江畑裕登, 山田繁, 伊藤貴司

セッションID: PD-13
発行日: 2022/06/24
公開日: 2022/09/07

DOIhttps://doi.org/10.57295/jpvsproc.2.0_107

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原子状水素パッシベーションによるSi-rich BaSi₂膜の光学特性向上及び第一原理計算による機構考察

青貫翔, 都甲薫, D. Migas , 末益崇

セッションID: PD-14
発行日: 2022/06/24
公開日: 2022/09/07

DOIhttps://doi.org/10.57295/jpvsproc.2.0_108

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ポストアニールによるp-BaSi₂/n-Siヘテロ接合太陽電池の特性向上

成田隼翼, 青貫翔, 高柳香織, 都甲薫, 末益崇

セッションID: PD-15
発行日: 2022/06/24
公開日: 2022/09/07

DOIhttps://doi.org/10.57295/jpvsproc.2.0_109

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スパッタ法によるp-NiO/n-BaSi₂ヘテロ接合型太陽電池の作製と評価

竹中晴紀, 長谷部隼, 木戸一輝, 小板橋嶺太, 召田雅実, 都甲薫, 末益崇

セッションID: PD-16
発行日: 2022/06/24
公開日: 2022/09/07

DOIhttps://doi.org/10.57295/jpvsproc.2.0_110

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スパッタ法によるp型B-doped BaSi₂膜の作製と評価

長谷部隼, 木戸一輝, 召田雅実, 都甲薫, 末益崇

セッションID: PD-17
発行日: 2022/06/24
公開日: 2022/09/07

DOIhttps://doi.org/10.57295/jpvsproc.2.0_111

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表面電位顕微鏡による多結晶BaSi₂膜の表面ポテンシャル評価

木戸一輝, 長谷部隼, 召田雅実, 都甲薫, 末益崇

セッションID: PD-18
発行日: 2022/06/24
公開日: 2022/09/07

DOIhttps://doi.org/10.57295/jpvsproc.2.0_112

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BaSi₂太陽電池の界面層および電子輸送層応用に向けたZn_1-xGe_xO_yの作製

髙柳香織, 山下雄大, 都甲薫, 末益崇

セッションID: PD-19
発行日: 2022/06/24
公開日: 2022/09/07

DOIhttps://doi.org/10.57295/jpvsproc.2.0_113

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BaSi₂太陽電池の電荷輸送層に対する材料探索プロセスの改良

原康祐

セッションID: PD-20
発行日: 2022/06/24
公開日: 2022/09/07

DOIhttps://doi.org/10.57295/jpvsproc.2.0_114

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IとBrを用いた表面パッシベーションによるPbS量子ドット膜の欠陥密度の低減

河田雄仁, 小栗直己, 劉東, 丁超, 豊田太郎, 早瀬修二, 沈青

セッションID: PD-21
発行日: 2022/06/24
公開日: 2022/09/07

DOIhttps://doi.org/10.57295/jpvsproc.2.0_115

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A Facile Double Passivation Strategy of Reducing both Electron and Hole Trapping States for High-Efficiency PbS Quantum-Dot Solar Cells

Chao Ding, Shuzi Hayase, Taizo Masuda, Qing Shen

セッションID: PD-22
発行日: 2022/06/24
公開日: 2022/09/07

DOIhttps://doi.org/10.57295/jpvsproc.2.0_116

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Passivation on ZnO NWs to suppress charge recombination and facilitate charge transport in quantum dot/ZnO MW heterojunction solar cells

Yuyao Wei, Chao Ding, Mako Nakamura, Shuzi Hayase, Qing Shen

セッションID: PD-23
発行日: 2022/06/24
公開日: 2022/09/07

DOIhttps://doi.org/10.57295/jpvsproc.2.0_117

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Numerical analysis and nonradiative recombination reduction of PbS-EMII/PbS-EDT heterojunction quantum dot solar cells

Dandan Wang, Chao Ding, Shuzi Hayase, Qing Shen

セッションID: PD-24
発行日: 2022/06/24
公開日: 2022/09/07

DOIhttps://doi.org/10.57295/jpvsproc.2.0_118

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