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2008 年 (50)
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Si(001)基板上のβ-FeSi2(100)ナノカーペットの面内XRD測定による歪み評価
*竹本 昌平, 西田 翔太, 楊 昊宇, 染田 政明, 服部 賢, 大門 寛, 服部 梓, 田中 秀和
表面科学学術講演会要旨集
2017年 37 巻 1Aa05S
発行日: 2017年
公開日: 2017/08/17
DOI
https://doi.org/10.14886/sssj2008.37.0_4
会議録・要旨集
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我々はこれまでにβ-FeSi
2
が基板ステップを緩和する際に、格子不整合に起因する歪み二次元ナノカーペット構造を持つこと、LEED•in-plane XRD測定によってナノカーペットの逆格子に歪みに起因する特徴的な広がりがあることをほうこくしてきた。
前回我々は、β041, 042, 082逆格子点が原点からの延長方向に伸びていること、それが歪みに起因することを報告した。今回は逆格子点と歪みモデルとのフィッティングによって、ナノカーペットの歪みを評価する。
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(445K)
反射高速電子回折によるα-Al
2
O
3
(0001)面の√31×√31±R9°構造の解析
*中島 翔太, 戸坂 亜希, 重田 諭吉
表面科学学術講演会要旨集
2017年 37 巻 1P42S
発行日: 2017年
公開日: 2017/08/17
DOI
https://doi.org/10.14886/sssj2008.37.0_127
会議録・要旨集
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GaNの成長用基板として用いられているα-Al
2
O
3
は最表面からAl、O、Al、Al、O、Al…と積層するコランダム構造を持つ。(0001)表面は真空中で高温加熱すると、1×1構造から√31×√31±R9°構造(√31構造)に構造相転移する。√31構造は、表面の2層のO層が抜け、最表面にAl(111)の2重層が形成されるモデルが提案されているが、原子位置等は実験的に明らかになっていない。我々は、α‐Al
2
O
3
(0001)面の√31構造を反射高速電子回折(RHEED)のロッキングカーブ法を用いて解析した。
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(321K)
二テルル化タングステン表面の構造解析
*川原 一晃, 荒船 竜一, 白澤 徹郎, Lin Chun-Liang, Ni Zeyuan, 南谷 英美, 渡邉 聡, 川合 眞紀, 高木 紀明
表面科学学術講演会要旨集
2016年 36 巻 3Ja02S
発行日: 2016年
公開日: 2016/11/29
DOI
https://doi.org/10.14886/sssj2008.36.0_408
会議録・要旨集
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二テルル化タングステン(WTe2)は金属カルコゲン層状物質である。WTe2はワイル半金属の候補として注目されている。WTe2の物性測定にはSTMやARPESなど表面敏感な手法が用いられている。よってWTe2表面の構造を決定する必要がある。我々はWTe2表面の構造をLEEDにより決定した。構造パラメータはバルク値と殆ど変わらなかった。実験結果はDFT計算とも一致し、原子位置を確定することができた。
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(114K)
Si(111)
表面再構成
過程のストレス変位
*朝岡 秀人, 魚住 雄輝
表面科学学術講演会要旨集
2015年 35 巻 3Hp11
発行日: 2015年
公開日: 2015/12/01
DOI
https://doi.org/10.14886/sssj2008.35.0_425
会議録・要旨集
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表面に存在するストレスは成長原子の拡散、吸着過程などのカイネティクスを変化させるため、表面ストレスの解明・制御がナノ構造創製のために有力な手段となる。Si(111) 7x7再構成構造に内在するストレスを実験的に捉えるため、Ge/Si(111)ヘテロ成長過程のストレス変化の観測に加え、水素終端表面と、清浄再構成表面とのストレス差から、再構成構造に起因するストレスを捉えた。
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(107K)
単分子層の構造制御に基づく高配向性picene分子膜作製
*坪井 大夢, 佐々木 正洋, 山田 洋一
表面科学学術講演会要旨集
2015年 35 巻 3Hp05
発行日: 2015年
公開日: 2015/12/01
DOI
https://doi.org/10.14886/sssj2008.35.0_419
会議録・要旨集
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piceneは次世代有機デバイス材料として期待されているが、良質の薄膜の作成手法は未だ確立していない。我々は分子の単分子層の構造を制御することで薄膜構造の制御を目指している。 本研究では基板表面を選ぶことでpicene単分子層の構造を制御し、薄膜構造を光学顕微鏡等で計測した。結果、単分子層の構造が秩序的なAu(111)基板上では、直線状のアイランドが3方向に配向性をもって形成することがわかった。
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(167K)
RHEEDによるZnO(0001)表面構造解析
*堀尾 吉已, 高桑 雄二, 小川 修一, 安部 功二
表面科学学術講演会要旨集
2015年 35 巻 3Hp04
発行日: 2015年
公開日: 2015/12/01
DOI
https://doi.org/10.14886/sssj2008.35.0_418
会議録・要旨集
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ZnOは透明導電膜材、センサー、光・電子デバイス材として注目されているが、その単結晶表面の構造について詳細な議論はされていないように思われる。そこで、本研究ではRHEEDロッキング曲線から市販のZnO(0001)表面の構造を解析する。その際、加熱による清浄化処理の課題も含めて議論する。
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(158K)
スキャン点群を用いたワイヤー構造の再構成
*森岡 浩太郎, 大竹 豊, 鈴木 宏正
精密工学会学術講演会講演論文集
2013年 2013A 巻 O67
発行日: 2013/08/28
公開日: 2014/02/28
DOI
https://doi.org/10.11522/pscjspe.2013A.0.851.0
会議録・要旨集
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本研究では表面スキャン点群を入力として、ワイヤーのような細い素材で構成された構造物を再構成する手法を提案する.一般的な構造物の場合、入力の表面点群から構造物の表面形状を再構成するが、ワイヤーのような構造物の場合、構造物の表面情報をスキャナでもれなく取得できることは稀であるため、一般的な構造物と同じ手法では再構成がうまくいかない.そのため本研究では、入力点群から構造物の形状を表現する線分を抽出するという手法をワイヤー構造物の再構成手法として提案する.当手法では、初めにドロネー分割を用いて全ての入力点を線分で結び、結んだ線分の統合を終端条件に達するまで繰り返すことで構造物の形状を抽出する.形状を保存する線分を抽出するために、線分を統合する過程において各入力点の密度関数の値を参照している.また再構成の精度の向上のために、抽出した線分の位置の最適化を行っている.当手法の出力は線分の組み合わせであり、ワイヤー形状の構造物を表現するという目的においては一般的な再構成手法より適していると言える.
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(389K)
低温酸化層脱離によるSi(110)-16×2構造の作製
*鈴木 翔太, 矢野 雅大, 魚住 雄輝, 朝岡 秀人, 山口 憲司
表面科学学術講演会要旨集
2016年 36 巻 3Dp05
発行日: 2016年
公開日: 2016/11/29
DOI
https://doi.org/10.14886/sssj2008.36.0_371
会議録・要旨集
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Si(110)表面16×2再構成構造の形成に深く関与する表面ストレス(表面エネルギー)の測定には、表面の全体で清浄、かつ表面ステップ構造に欠陥のない理想表面が必要である。本研究では、5×22 mmサイズSi(110)基板表面の湿式洗浄法により酸化層を作製し、低温加熱酸化層除去により表面全体で16×2再構成構造を作製した。発表では、加熱プロセスの変化が構造の変化に与える影響についても報告する。
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(243K)
Si(111) √3×√3-Au 表面の菊池パターンにおける局所表面ポテンシャルの影響
*樋口 森生, 萩原 裕人, 戸坂 亜希, 重田 諭吉
表面科学学術講演会要旨集
2017年 37 巻 1P41
発行日: 2017年
公開日: 2017/08/17
DOI
https://doi.org/10.14886/sssj2008.37.0_126
会議録・要旨集
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我々は反射高速電子回折の菊池パターンに注目し、Si(111)√3x√3-Agについて、動力学的回折理論を用いてシミュレーション計算した結果、表面第一層に形成したAg層の局所変調ポテンシャルが菊池エンベロープに影響を与えることが示唆された。そこで、Agより散乱ポテンシャルの大きなAu原子によるSi(111)√3x√3-Au表面の菊池パターンの評価を行い、局所変調ポテンシャルの回折波への影響を議論する。
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(525K)
Pt(111)表面上のBa-Ti-O系準結晶薄膜の作製と組成分析
*杉浦 諒一, 堀場 圭人, 柚原 淳司, 山田 智明
表面科学学術講演会要旨集
2016年 36 巻 2PA10
発行日: 2016年
公開日: 2016/11/29
DOI
https://doi.org/10.14886/sssj2008.36.0_247
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Ba-Ti-O系準結晶薄膜を、パルスレーザー堆積法を用いてPt(111)表面上にBaTiO
3
を成膜した後、試料加熱とTi蒸着を行うことで作製した。高分解能STM像とLEEDパターンから、基板上の準結晶構造を確認した。準結晶作製時の組成比をAESスペクトルから算出した。XPSスペクトルとRBSスペクトルの対応関係の校正曲線を作成し、準結晶薄膜の各元素の定量評価を行った。
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(348K)
Ag(111)上に成長させた多層シリセンの構造
*川原 一晃, 白澤 徹郎, 林 俊良, 荒船 竜一, 長尾 遼, 塚原 規志, 高橋 敏男, 川合 眞紀, 高木 紀明
表面科学学術講演会要旨集
2015年 35 巻 3Hp08S
発行日: 2015年
公開日: 2015/12/01
DOI
https://doi.org/10.14886/sssj2008.35.0_422
会議録・要旨集
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LEEDとSTMを用いてAg(111)上の多層シリセンの構造を明らかにした。Si(111)(√3x√3)-Ag構造は多層シリセンのLEEDI-V曲線を再現した。一方、蜂の巣格子の積層構造は実験データを再現しなかった。多層シリセンのSTM像の試料電位依存性はSi(111)(√3x√3)-Agのそれと一致した。以上から多層シリセンの構造はSi(111)(√3x√3)-Agの構造と同一であると結論した。
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(123K)
3次元逆格子空間におけるナノ結晶相・配向の探索アルゴリズムの開発
*神保 裕喜, 生田 円佳, 広田 望, 中家 佑吾, 竹本 昌平, 石田 拓也, 服部 賢, 大門 寛
表面科学学術講演会要旨集
2015年 35 巻 2P04S
発行日: 2015年
公開日: 2015/12/01
DOI
https://doi.org/10.14886/sssj2008.35.0_238
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本研究室では、試料方位の異なるRHEEDによる複数枚の透過パターンから3次元逆格子マップを作成する手法である、方位角スキャンRHEED法を開発してきた。我々は、3次元逆格子マップ内のスポットから、結晶タイプと配向の探索を行う自動解析ソフトウェアを開発している。現在、Si(001)面上に形成される3次元鉄シリサイド(α-FeSi
2
)島構造を用いて、自動解析の評価を行っているので詳細を報告する。
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(1019K)
金属単結晶再構成表面上へのコバルト酸リチウム薄膜の作製とその構造評価
*白木 将, 高木 由貴, 大木 栄幹, 熊谷 明哉, 清水 亮太, 鈴木 竜, 大澤 健男, 一杉 太郎
表面科学学術講演会要旨集
2012年 32 巻 20Dp10
発行日: 2012年
公開日: 2012/11/28
DOI
https://doi.org/10.14886/sssj2008.32.0_82
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金属単結晶基板Au(110)ならびにPt(110)の(2x1)再構成表面上にパルスレーザー蒸着法を用いてコバルト酸リチウム(LiCoO
2
)薄膜を作製しその構造評価を行った。その結果、LiCoO
2
のc軸が基板表面の{111}マイクロファセット面に平行あるいは垂直となるように成長しており、基板表面の再構成により形成される微細構造が薄膜の配向性に強く影響を与えることが明らかとなった。
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(214K)
点群からの厚さ画像を用いた
表面再構成
第2報
ロバストなCT再構成法の検討
*長井 超慧, 大竹 豊, 鈴木 宏正
精密工学会学術講演会講演論文集
2014年 2014S 巻 J79
発行日: 2014/03/01
公開日: 2014/09/01
DOI
https://doi.org/10.11522/pscjspe.2014S.0_807
会議録・要旨集
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物体表面上の点集合(点群)を基に物体の形状を表す表面メッシュを生成する問題を
表面再構成
という。本稿では、点群から物体の厚みを推定し、推定値を厚みにもつ形状をラドン・逆ラドン変換により構成し、その表面をメッシュ化する手法を提案する。提案手法は、従来の
表面再構成
法では処理困難であった欠損や異常値を含む点群からも、より自然な形状を構成することができる。
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(1101K)
KEK物構研低速陽電子実験施設における全反射高速陽電子回折(TRHEPD)の最近の成果
*兵頭 俊夫, 望月 出海, 一宮 彪彦, 設楽 哲夫, 深谷 有喜, 圓谷 志郎, 境 誠司, 社本 真一, 和田 健, 前川 雅樹, 河裾 厚男, 有賀 寛子, 朝倉 清高
表面科学学術講演会要旨集
2016年 36 巻 2PA07
発行日: 2016年
公開日: 2016/11/29
DOI
https://doi.org/10.14886/sssj2008.36.0_244
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表面の原子配置に超敏感な全反射高速陽電子回折(TRHEPD)の特徴と、KEK物構研低速陽電子実験施設のTRHEPDステーションの最近の成果、特にルチル型TiO2(110)(1×2)の表面構造決定、およびCu(111)面上とCo(0001)面上のグラフェンの構造(バックリングの有無と、基板との距離)の決定について報告する。
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(250K)
2p-E-14 W(001)
表面再構成
転移
稲岡 毅, 吉森 昭夫
秋の分科会予稿集
1984年 1984.2 巻
発行日: 1984/09/10
公開日: 2018/03/22
DOI
https://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1984.2.0_392_2
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(161K)
点群からの厚さ画像を用いた
表面再構成
*長井 超慧, 大竹 豊, 鈴木 宏正
精密工学会学術講演会講演論文集
2012年 2012A 巻 D45
発行日: 2012/09/01
公開日: 2013/03/01
DOI
https://doi.org/10.11522/pscjspe.2012A.0.277.0
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実物体表面を計測して得た点群からスカラ場を生成しその等値面で物体表面を表現する手法を陰的
表面再構成
という。一方でX線CT画像はX線が物体の厚みに応じて減弱する性質を利用して算出されたスカラ場である。本研究では、点群から物体の疑似的な厚さ画像群を生成した後CT再構成によりスカラ場を得る新しい陰的
表面再構成
法を紹介する。また従来問題とされていた点群の欠損も本手法では適切に補われることを実例により示す。
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(1053K)
ライン式三次元レーザースキャナ計測データを用いた
表面再構成
に関する研究
*石灘 崇, 大竹 豊, 鈴木 宏正
精密工学会学術講演会講演論文集
2010年 2010S 巻 B26
発行日: 2010年
公開日: 2010/09/01
DOI
https://doi.org/10.11522/pscjspe.2010S.0.121.0
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近年のデジタルエンジニアリングにおける、物体の三次元計測データからの
表面再構成
の手法は、データを単なる点群と解釈して処理してきた。最近普及しつつあるライン式三次元レーザースキャナでは、データは点群でなく折れ線群として出力される。従来手法では、これらの折れ線群も点群として処理してきた。本研究では、折れ線群を点群としてではなく直接処理を行う、高速かつ高精度な
表面再構成
に関する手法を提案する。
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(405K)
27a-D-1 水素吸着W(100)の
表面再構成
原 雅美, 杉林 直彦, 吉森 昭夫
秋の分科会予稿集
1986年 1986.2 巻
発行日: 1986/09/12
公開日: 2018/03/22
DOI
https://doi.org/10.11316/jpsgaiyok.1986.2.0_423_1
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(162K)
31a-J-12 W(100)
表面再構成
と水素吸着
稲岡 毅, 吉森 昭夫
年会予稿集
1981年 36.2 巻
発行日: 1981/03/30
公開日: 2018/03/26
DOI
https://doi.org/10.11316/jpsgaiyoh.36.2.0_291_2
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