抄録
炭化ケイ素 (SiC) を材料にして青色LEDの開発を進め, SiC結晶のオフアングル基板上にエピタキシャル層 (発光層) を形成する新しい結晶成長法を用いて高光度青色LED (樹脂モールド後, 光度12mcd) を開発した.さらに, この青色LEDとGaP赤, 緑色LEDを同一パッケージに組込み, 3原色光を光拡散剤で混色する方式を採用してフルカラーランプを試作した.各LEDの順方向電流値を独立に制御して, 赤, 緑, 青色の3原色, 合成中間および白色の各色光を同一ランプで初めて実現した.また, このフルカラーLEDを用いて, 絵素数が2×6のランプアレイを試作した.
