ボロン膜にイオン注入されたトリチウムの脱離挙動(II)

抄録

デカボランのＰＣＶＤによりステンレス基板上にボロン薄膜を作製した試料及び多結晶ボロン板に室温でトリチウムイオンを照射し、室温及び昇温過程での脱離挙動をβ線誘起Ｘ線計測法（BIXS）により調べた。その結果、ボロン薄膜中の不純物濃度によりトリチウムの脱離挙動が異なり、多結晶ボロン板では内部拡散が支配的であった。