仮想中性子源増倍法を用いた未臨界度測定実験

抄録

未臨界体系において、制御棒挿入や燃料の増減などによる中性子束分布の変化を仮想的な中性子源の挿入として表現できるとする。
計算結果と組み合わせることにより、この仮想中性子源の強度は、中性子束分布変化の前後の検出器の計数率の比から推定することができ、これにより中性子束分布変化前後の炉出力の比がわかり、体系の未臨界度を求めることができる。
この新しい未臨界度測定法を確認するための実験結果を報告する。