中性子スピン位相コントラスト撮像法の開発

抄録

中性子スピン位相コントラスト(NSPC) 撮像法は、X線位相差画像法PCX の原理を中性子光学分野に適用したもので、磁場に平行・反平行なスピンの重ねあわせ状態にある中性子の状態間位相差が磁場積分に比例して変化することを利用し、位置ごとの状態間位相差を検出して試料内部の磁場分布を画像化する方法である。また干渉縞のビジビリティ変化を観察することで試料内部の平均的な磁場状態の情報を得ることも可能であり、同じく画像化することで相補的な情報を取得する。