高温工学試験研究炉（HTTR）を用いたシリコンドーピング技術の検討（2）

-可動反射体領域での照射特性-

抄録

照射欠陥を抑制できる高温環境下での中性子ドーピング技術として、HTTRを用いたSi半導体製造技術の検討に着手した。 前回の中央カラム領域照射に対して今回は炉心外周部に存在する可動反射体領域での照射特性の評価を行った。