抄録
シリコン炭化物(SiC)は実用型核融合炉ブランケット内の中性子増倍材とトリチウム増殖材間を分離するための絶縁材料として期待されている。放射線照射環境下に曝されたSiCの電気特性の変化について調べることは、核融合炉ブランケット設計において極めて重要である。本研究では、日本原子力研究開発機構(JAEA)東海研究開発センターの高速中性子照射施設を利用して、放射線照射下においてSiCの電気伝導度をその場で測定した。照射下における電気伝導度は照射前の伝導度よりも高い値を示し、照射誘起伝導度が観測されることがわかった。さらに、照射後の電気伝導度は照射量の増加とともに増加し、絶縁劣化が生じることも判明された。この照射誘起絶縁劣化現象は、Si－C間の結合が主に電子励起によって切れ、SiC表面がカーボンリッチになることによって生じることがわかった。
