抄録
先進SiC/SiC複合材料は核融合実証（DEMO）炉の候補材料として期待されている。炉材料としての実現のためには、核変換反応生成物であるHeとHの与える影響を、微細組織のレベルから明らかにすることが望まれている。高純度なβ-SiCの方のHe効果は理解が進んでいるものの、新規製法であり、マトリックスにプロセス添加剤に由来する第二相を含むNITE（ナノインフィルトレーション遷移共晶）法SiC/SiC複合材料ではその知見が著しく限られている。そこで、本研究では、上記材料のモノリシック成分であるNITE-SiCに対し二重・三重イオン同時照射を実施し、1000°C、~30 dpaまでの、キャビティまたはループ等に代表される点欠陥クラスター微細組織発達過程に及ぼす核変換H原子の影響について検討した。
