抄録
第一壁の壁面材料として、耐スパッタリング性および耐熱負荷特性の高いタングステンの使用が検討されている。壁コーティングの効率化の観点から、特にVPS(Vacuum Plasma Splaying)法により第一壁上へタングステン皮膜を作成する手法が注目されている。しかし成膜されたVPS-W中には欠陥や不純物が含まれる。また、実機環境下において第一壁は高温になることが予想され、VPS-W中の欠陥や不純物に影響することが考えられる。欠陥や不純物は水素同位体の捕捉サイトとなるため、加熱した際の状態変化が水素同位体滞留・放出挙動に及ぼす影響を明らかにする必要がある。そこで本研究では、加熱前後でのVPS-Wからの水素同位体放出挙動や不純物化学状態変化を調べ、さらにタングステン結晶における重水素放出・滞留挙動との比較から実機環境下でのVPS-Wにおける水素同位体滞留要因や放出に関わる特性を明らかにした。
