ハーフペアレント型ジアゾメタンの光反応に関する理論的研究

抄録

炭素–ケイ素間に三重結合を持つシリンの合成を目的として、かさ高い立体保護基 (Rind 基: octa-R-substituted s-hydrindacene;EMind 基)を有するハーフペアレント型ジアゾメタン (EMind)CHN2 が期待されている。ジアゾメタン類は光による脱窒素によって反応性の高いカルベンを生成するため、反応をいかに制御するかがシリン合成の鍵となる。本研究ではハーフペアレント型ジアゾメタンの光反応について密度汎関数(DFT)法と時間依存密度汎関数法 (TD-DFT)法を用いて反応経路の調査を行った。最初にフェニルジアゾメタン(PhHCN2)をモデル分子として用い、反応経路自動探索法として提案されている人工力誘起反応(AFIR)法を用いて基底状態の反応経路探索を行った。次に TD-DFT法を用いてジアゾメタンの光励起に関与する分子軌道の解析を行った。また、円錐交差や交換交差のように二つのポテンシャルエネルギー面が交差する点の探索法についても紹介する。