エレクトロニクス実装学術講演大会講演論文集
第22回エレクトロニクス実装学会講演大会
セッションID: 18B-10
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SnCuめっきリードのウィスカ発生・抑制機構
*加藤 隆彦赤星 晴夫中村 真人岩崎 富生寺崎 健橋本 知明西村 朝雄
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抄録

SnCuめっき/Cuフレームから成るリードは、Cuフレームの種類により常温でウィスカの発生するリードと全く発生しないリードがある。Cuフレーム中の微量添加元素がめっき/フレーム間に形成する金属間化合物(IMC)の形状に影響する結果、めっき皮膜内部圧縮応力に差が生じウィスカ発生有無が決定される「ウィスカ発生・抑制機構」を明らかにした。FEA/MD計算によりめっき皮膜の内部応力分布と粒界Sn拡散挙動を定量化し、EBSP測定を用いてウィスカの発生位置と結晶方位をめっき組織と相関付けることにより、本ウィスカ発生・抑制機構を定量的に検証した。

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© 2008 一般社団法人エレクトロニクス実装学会
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