ギ酸ガスを用いた表面活性化接合装置の試作について

抄録

今後，素子の高機能化に伴い高密度実装が重要度を増している．高密度実装においては，素子の電極間同士の接合，あるいは基板間の接合が考えられている．この場合，接合間の位置決めの容易性，素子への影響を考慮した時，常温，大気圧に近い条件で，接合することが望まれる．　そこで，本研究は容量4Lの中に酸化膜除去部及び接合部を有する小型接合装置を試作し，本装置を用いて，Si基板上のCu薄膜の酸化膜除去，及びこの酸化膜除去後の接合に関する知見を得たので報告する．