誘電性薄膜の高品質化とウェハレベル成膜への応用

抄録

近年、量産の目的からウェハサイズの大口径化が進んでおり、ウェハ上に特性のよい均質な薄膜を形成するのが困難になりつつある。しかし、MEMSデバイスの作製においては、成膜技術の信頼性を向上させることが重要となる。一般的には、スパッタ等の物理的成膜法が信頼性が高いと言われているが、大口径のウェハにおいては均質性が損なわれてしまう。そこで、本研究では、代表的な圧電性薄膜であるPZTをMOD法を用いて成膜し、プロセスパラメータの最適化を行った。さらに、ウェハレベルの成膜へ応用した。